稀土磁光盘

磁光存储是一种采用激光和磁场共同作用的存储技术，磁光存储的研究是Williams等在1957年使MnBi薄膜磁化并用光读取之后开始的。其后，在1973年，以樱井等人发现稀土—过渡金属非晶态GdCo膜作为磁光存储材料是有前途的，以此为契机，推进了磁光存储的迅速发展。在加上半导体激光技术等周边技术的发展，达到了目前的实用阶段。

  磁光盘(MO)既具有硬盘的大容量和可读写功能，又具有软盘的便携特性，同时还具有光盘防磁，抗湿和可靠的特性。磁光盘的外形比3.5"和5.25"软盘略厚一些，塑料外壳内是一片类似CD-ROM的盘片，上面覆盖着磁性物质，在激光照射下可进行数据读写。这种磁性物质主要是铽，镝，钆等重稀土元素和铁，钴，镍等过渡金属元素的合金薄膜，也少量添加钕，镨，以改善短波长特性。

  磁光存储材料要求具有以下特性。从存储这方面来说，要求饱和磁化小（用较小的磁场就能存入），在室温下不发生磁化反转，且在室温下矫顽力Hc要大。因为利用半导体激光，所以居里温度最好在373～573K之间。在读出方面，室温下克尔旋转角θ_k要大（读取灵敏度高）。综合各方面的特性，目前主要使用的磁光存储材料是TbFeCo合金薄膜。一张3.5"的TbFeCo磁光盘约需消费铽0.5毫克左右。

  磁光盘的生产几乎已由日本厂家垄断，主要生产厂家有三菱材料公司，住友金属矿山公司，三井金属矿业公司，东苏电子公司等。

  由于北美计算机市场原有的硬件设备基础雄厚，对新产品磁光盘的发展有一定阻碍作用，世界磁光盘市场以日本市场为核心发展。日本磁光盘用TbFeCo的年消费量在1～2吨左右。